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半导体器件与集成电路抗静电放电(ESD)设计

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培训受众:

从事半导体器件及集成电路的电路设计、工艺设计以及产品质量检测和可靠性分析(失效分析)的技术人员。

课程收益:

●了解系统的静电基础知识,先进静电控制原理与技术,如何通过设计避免静电的危害。
●了解系统学习静电防护在电子产品设计方面的应用及与案例经验分享,具体讲解如何开展电子产品ESD设计,如何通过实验进行ESD防护的验证。

培训颁发证书:

可靠性研究分析中心培训证书

课程大纲:

第1 章 电子元器件抗ESD损伤的基本原理
1.1 静电的产生和来源
1.2 静电放电模式
1.3 静电放电失效
1.4 静电损伤的特点
第2章 CMOS电路抗ESD设计技术
2.1 CMOS电路ESD失效模式和机理
2.2 CMOS电路ESD可靠性设计策略
2.3 CMOS电路ESD设计辅助工具-TLP测试技术
2.4 CMOS电路ESD保护电路设计
第3章 电路系统的抗ESD设计
3.1 概述
3.2 电子设备ESD损伤途径及其保护电路设计
3.3 PCB的抗ESD设计
3.4 外接TVS管的ESD保护
第4章电子设备的静电防护设计措施
4.1 电子设备制造防静电技术要求
4.2 建立静电安全工作区
4.3 安全工作区的静电检测
4.4 全面的静电防护和设计

培训师介绍:

 
罗宏伟,可靠性研究分析中心高级工程师,博士,主要从事微电子产品失效模式、失效机理、可靠性试验和评价技术、可靠性设计等方面的研究,承担或参加了多项国家科研项目,曾获省、部级科技进步奖多项。多次完成微电子失效元器件的失效机理分析及其失效预防措施研究,在微电子产品的可靠性试验评价和设计方面具有丰富的经验,在公开技术刊物和学术会议上发表多篇论文。

本课程名称: 半导体器件与集成电路抗静电放电(ESD)设计

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