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IPFA2009IEEE国际半导体失效分析与可靠性培训邀请函大会7月6-10日

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  • 开课时间:2009年07月06日 08:30 周一 查找最新
  • 结束时间:2009年07月10日 17:00 周五
  • 课程时长:37小时
  • 招生进展:
  • 开课地点:苏州市
  • 授课讲师: 待定
  • 课程编号:55219
  • 课程分类:职业素养
  •  
  • 收藏 人气:1815
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培训受众:

失效分析工程师、可靠性工程师、研发与工程技术人员、质量工程师、工艺工程师、制造工程师、设计工程师、供应商管理工程师、研发/工程/采购/质量经理、研究员、相关专业教授、博士生、研究生等。

课程收益:

在科技日益更新的当今社会,产品的失效分析和可靠性日渐被关注,产品出现可靠性与质量问题后要进行专业的失效分析才能帮助产品有更好的品质提升,因此涌现出对失效分析与可靠性高水平技术人才的大量需求。
IPFA是半导体领域失效分析与可靠性的国际顶级会议。为培养失效分析与可靠性技术人才,满足国内外半导体方面专业人员技术提高的愿望,建立国际相关行业信息与技术交流平台,解决相关企业遇到失效分析与可靠性问题时的疑点和盲区、打破理论与实际脱钩的窘境、达到失效现象与失效原因直接挂钩、提高产品可靠性的效果,我们特决定在苏州举办此次面向国际的IEEE国际半导体失效分析与可靠性培训。
注:IPFA2009介绍
第16届IEEE国际集成电路物理与失效分析会议(IPFA2009)由IEEE南京分会主办,IEEE Reliability/CPMT/ED新加坡分会协办、由IEEE 电子器件协会与IEEE可靠性协会提供技术支持。IPFA2009是在中国举办的有关集成电路与器件方面规模最大、影响最大的国际会议。会议将为期五天,包括两天的技术培训讲座、三天的论文发表与研讨技术交流,同时并行三天的设备展览。

培训颁发证书:

IEEE IPFA2009技术委员会培训证书/中国电子电器可靠性工程协会培训证书

课程大纲:

本次培训特别邀请15位来自中、美、欧洲、新加坡、日本及亚太其他各国及地区专家作培训讲座与技术交流,具体事宜通知如下:

时间:2009年7月6日-10日 苏州 独墅湖高教区
参加对象:失效分析工程师、可靠性工程师、研发与工程技术人员、质量工程师、工艺工程师、制造工程师、设计工程师、供应商管理工程师、研发/工程/采购/质量经理、研究员、相关专业教授、博士生、研究生等。

培训证书:IEEE IPFA2009技术委员会培训证书/中国电子电器可靠性工程协会培训证书

培训讲座议程 (2009年7月6-7日)(拟)
2009年7月6日--两个课程同时进行 2009年7月7日--两个课程同时进行
早上8:30开始 课题1:光发射与光学显微技术在集成电路失效分析中的应用Jacob C.H.Phang教授,新加坡国立大学 课题5:光伏产品的可靠性与失效机理Liang Ji , UL, 美国
课题2:集成电路的静电放电及其保护电路设计J.J. Liou教授,中佛罗里达大学, 美国 课题6:先进非挥发性存储器技术及其可靠性Guoqiao Tao博士,NXP, 荷兰
下午13:30开始 课题3:失效分析概述及其挑战Susan Li博士,飞索半导体,美国 课题7:光伏产品的可靠性与失效机理待定
课题4: 材料科学在电子封装失效分析中的应用Tim Fai Lam博士,飞索半导体,中国 课题8:栅介质可靠性:物理击穿及统计分析Ernest Wu博士,IBM, 美国
研讨会议程(2009年7月8-10日)(拟)
2009年7月8号 2009年7月9号 2009年7月10号
早晨8:30---10:15会议 1:开幕典礼 早晨8:30---10:15会议 5:光伏、光电技术、可靠性和失效机理 早晨8:30---10:15会议 9:新型栅堆叠/栅介质,FEOL可靠性及其失效机理
茶歇10:15 茶歇10:15 茶歇10:15
上午10:35---12:20会议2:先进物理分析技术与失效分析技术1 上午10:35---12:20会议6:芯片级、封装级、板级、系统级的工艺与技术、失效分析案例研究以及失效机理研究2 上午10:35---12:20会议10:新兴材料特性、样品制备与检测分析技术
午餐12:20 中午12:35---下午3:10会议7:午餐/ 论文海报/失效分析照片欣赏 午餐12:20
下午1:40---3:10会议 3:芯片级、封装级、板级、系统级的工艺与技术、失效分析案例研究以及失效机理研究1 下午1:40---3:10会议11:先进的可靠性评估和方法
茶歇3:10 茶歇3:10 茶歇3:10
下午3:30---5:00会议4:先进互连技术和BEOL可靠性及其失效机理 下午3:30---5:00会议8:先进物理分析技术与失效分析技术2 下午3:30---5:00会议12:新颖器件技术与可靠性及失效机理
闭幕典礼
课程提纲(拟)
培训讲座课题提纲
课题1:光发射与光学显微技术在集成电路失效分析中的应用
Jacob C.H. Phang教授,新加坡国立大学
课题2:集成电路的静电放电及其保护电路设计
J.J. Liou教授,中佛罗里达大学,美国
课题3:失效分析的概述及其挑战
Susan Li博士,飞索半导体,美国
1、失效分析概述
a) 失效分析人员应具备的基本素质
b) 失效分析流程中的关键步骤
c) 失效分析的价值
d) 失效分析发展方向
2、IC元器件失效分析案例讲解
a) IC直流参数性失效中电路分析的难处典型案例
b)从工艺过程与模拟试验挖掘失效原因的典型案例
c)闪存IC功能性失效的失效分析的典型案例PVC技术对芯片物理失效分析的典型案例
d)ESD静电放电失效与EOS过电失效的现象区别
3、失效分析检测设备与技术手段概论
a)外观光学显微分析
b)电学失效验证
c)X-ray透视检查
d)SAM声学扫描观察
e)开封Decap
f)内部光学检查
g)EMMI光电子辐射显微观察
h)离子蚀刻、剥层分析Deprocessing
i)金相切片Cross-section
j)FIB分析
k)失效背景调查
l)电镜与能谱SEM/EDS、俄歇AES、XPS
课题4:材料科学在封装失效分析中的应用
Tim Fai Lam博士,飞索半导体, 中国
1、集成电路里的材料科学基础知识
a) 金属相位与相图
b) 形变与机械性能
c) 失效分析有用的设备
d) 集成电路封装结构的常用材料
2、失效分析在集成电路封装里的应用案例
a)封装结构的常见失效现象
b)硅晶元的基础知识
c)封装材料特性与失效案例
3、可焊性与失效分析
a) 可焊性的基础知识研究
b)镀层结构效应
c)金属间化合物的生长与可焊性案例
4、 引脚镀层失效分析
a)非对称性引起的引脚侧移失效案例
5、锡须案例分析
6、枝晶案例分析
a)铅枝晶案例分析
b)金枝晶案例分析
c)铜枝晶案例分析
7、焊锡连接性失效分析
8、有限元FEA分析在失效分析中的应用案例
9、翘曲/分层/潮气吸收等失效案例分析
课题5:光伏产品的可靠性与失效机理
Liang Ji , UL, 美国
课题6:先进非挥发性存储器技术及其可靠性
Guoqiao Tao博士,NXP, 荷兰
课题7:光伏产品的可靠性与失效机理
待定
课题8:栅介质可靠性:物理击穿和统计分析
Ernest Wu博士, IBM, 美国
课程提纲(拟)
研讨会特邀论文提纲
特邀论文1:建立可行的TDDB可靠性方法:从物理击穿到电路失效
Ernest Wu博士, IBM, 美国
特邀论文2: 提高65纳米铜/low-K制程可靠性的系统研究
Chinchang Liao博士, 中芯国际, 中国台湾
特邀论文3: 先进铜制程的可靠性挑战
Jeffrey Gambino博士, IBM, 美国
摘要:随着器件尺寸的缩小铜制程的可靠性将面临越来越多的挑战,因为尺寸越小low-k材料的机械应力越弱。在这篇报告中,我们将主要介绍铜制程中的电迁移和TDDB。
特邀论文4: 非挥发性存储器中的先进浮栅技术及其可靠性
GuoQiao Tao博士, 飞利浦, 荷兰
特邀论文5: 失效分析概述及其挑战
Susan Li 博士, 飞索半导体, 美国
特邀论文6: 100纳米以下器件的内置可靠性和分析技术的挑战
M.K. Radhakrishnan博士, 印度
摘要:随着器件工艺正在从纳米级朝向原子级的发展,Richard Feynman50年前曾说过的经典之语“底下的空间大的很”,需要仔细的研究和详细的了解。与此同时一些器件研发人员和制造商的评论也认为“地下的困难大的很”。为什么会这样的差别呢?现在的困难是在建立器件可靠性的方法上。器件发展是通过分析其强度和降低延迟的过程,通过对器件物理特性的理解帮助了上实际器件的进步。目前,器件尺寸越小,新材料和界面特性的挑战的分析。首先,是失效定位的确定。失效定位工具及其限制问题。然后,物理和化学的分析限制。该演讲介绍了目前失效定位的趋势和某些物理分析的挑战。
特邀论文7: 扫描光学显微镜分辨率和灵敏度的提高在集成电路失效分析中的应用

培训师介绍:

 
Jacob C.H.Phang 教授, 新加坡国立大学
Jacob C.H. Phang 教授分别于1975 和1979 年获得剑桥大学的学士和博士学位。1979 年开始在新加坡国立大学任教,现为集成电路失效分析和可靠性中心(CICFAR) 教授。研究领域为集成电路失效分析和可靠性。他还是新加坡国立大学附属SEMICAPS 公司(1988 年与他人共同创建)的执行主席,在世界范围推广 CICFAR 开发的先进技术
J.J. Liou 教授,中佛罗里达大学,美国
刘俊杰教授分别于1982,1983,1987 获得位于美国佛罗里达大学的学士,硕士及博士学位。1987 年任教于美国中佛罗里达大学电气与计算机工程系,现为该系教授。现在的研究领域为纳米电子电脑辅助设计,射频器件建模与仿真,以及半导体制造业及其可靠性。刘教授已获三项专利,出版 6 本教科书;发表210 余篇期刊论文。他还曾与美国,日本,台湾和新加坡等地的研究实验室和公司举办了咨询会。刘教授曾担任多种杂志的技术评审;几大国际会议的技术程序委员会主席或成员;他的其他荣誉如下:中佛罗里达大学理事主席;华中科技大学顾问教授;IEEE EDS 和国家科学委员会杰出讲师;IEEE EDS 区域副主席;IEEE EDS 教育委员会成员等。
Susan Li 博士,飞索半导体,美国
Susan Li 是美国宾夕法尼亚州匹兹堡市的卡内基梅隆大学的材料科学与冶金硕士和清华大学机电工程学士。目前是飞索半导体公司的全球失效分析实验室经理和资深技术人员。她的主要职责就是监管飞索六个地区的失效分析实验室失效分析技术的运用和发展。17 年来在AMD或飞索,她从事于不同的产品研究:包括网络,无线,微处理器的器件,目前在研究闪存器件。她的工作重点就是协助设计团队,生产线和制造组以分析顾客反馈和调试新产品及对现有产品进行失效分析以提高产品质量。她已在国际会议上发表了19 篇论文,目前在美国获20 项专利。
Carry Yang 教授,圣塔克拉拉大学,美国
Prof Yang 分别于1970 年,1971 和1975 年获得宾夕法尼亚大学机电工程学士,硕士和博士学位;他在美国宇航局艾姆斯研究中心和斯坦福大学继续表面与界面科学的研究;之后,开创表面分析研究。1983 年任教于圣塔克拉拉大学,目前是电气工程学院的院长及纳米结构中心主任,他目前的研究领域是在电子和生物方面的纳米界面与互连。他曾历任 IEEE 电子器件协会(IEEE EDS)任IEEE 电子器件协会主席。2001 年,在People to PeopleAmbassadors 项目中,领导电子器件代表团访问中国。2004 年,因为“对微纳米领域教育工作的重大贡献”获得IEEE 教育活动局优秀成果奖。
Tim Fai Lam 博士,飞索半导体, 中国
林天辉博士1939 年出生于香港。在北京科技大学主修金属物理和材料科学,并获得工程学士和博士学位。1964 年到1989 年,就职于上海钢铁研究所从事金属和合金的研究。1990 年起,就职于AMD 新加坡, 历任失效分析高级工程师,首席工程师,技术专家组成员和高级技术专家组成员。凭借在物理和材料科学领域中的丰富经验和广博学识, 他解决了IC 封装技术的许多关键问题。1994 年以来,他主要研究有限元分析(FEA),是一个广泛应用于IC 设计和制造领域的工具。他建立了700 多个有限元分析模型以解决AMD在全世界各分厂所提出的问题,发表了有关有限元分析的100 多篇正式报告,其中大部分被刊登在在国际会议和出版物上。他还曾为美国,新加坡,泰国,菲律宾和中国等地区的AMD ,飞索,以及各大学和教育机构举办讲座或开设讲习班。2002 年底自新加坡AMD 退休后,在中国苏州的飞索担任技术顾问至今。
Guoqiao Tao 博士,NXP, 荷兰
陶国桥博士1963 年出生于江苏省,1982 年毕业于南京大学获半导体物理学士学位。分别于1990 年和1994 年,获得荷兰代尔夫特技术大学的电气工程硕士和博士学位。他曾从事于半导体物理领域中以下学科的研究:分立器件,双极集成电路,声表面波器件,太阳能电池,以及嵌入式非易失性存储器。他是 NXP 的半导体研究人员并是非挥发性存储器技术及其可靠性领域的资深领航人。陶博士发明了2TFNFN-NOR 器件,并发表了很多有关非挥发性存储器设备及其可靠性的论文。
Phillippe Perdu 博士, CNES, 法国
Dr Phillippe Perdu 在CNES 是微电子方面的高级专家。1988 年以来,就领导着CNES 超大规模集成电路失效分析实验室。在此之前,他曾针对电话,汽车零部件和军事系统制造商开发出电子系统。1988 年,获得国家艺术和商学院(NAAT)电子专业硕士学位;1994 年获得保罗萨巴蒂大学电子专业博士学位;除此之外,他还在研究超规模集成(VLSI)工具和方法的研发。并已撰写和参与撰写130 多篇论文,获得13 项专利。他是法国失效分析协会的主席;电子器件失效分析协会和欧洲失效分析网络(EUFANET)的董事会成员。
Ernest Wu 博士, IBM, 美国
Ernest Wu 博士在IBM 担任技术可靠性部门、半导体研发中心的高级技术人员。分别于1986 和1989 年获得堪萨斯大学的硕士和博士学位,1994年就职于IBM 微电子部,负责介电质可靠性方法的技术认证和发展。他的研究领域包括介电质可靠性,物理器件可靠性和凝聚物质物理学。他在IRPS2005 和2007 分别担任设备介质委员会主席和联合主席。2004 年,由于对CMOS 技术的超薄栅可靠性的突出贡献荣获IBM 先进技术成就奖。Jordi Suñé 博士(联合作者) 1986 年毕业于巴塞罗那自治大学物理学专业,1989年获得该校的电子学博士学位。他曾撰写和合作撰写150多篇论文,其中有11 篇国际电子器件会议论文,为国际可靠性物理研讨会提交数篇氧化氮可靠性领域特邀论文和5 篇讲座论文。2004 年,由于他的突出研究成果,获得Generalitat Catalunya 奖和IBM 学院奖。他的主要研究领域是栅氧化层可靠性和建模与仿真电子运输的电子器件。
Jeffrey Gambino 博士, IBM, 美国
Jeffrey Gambino 博士就职于美国IBM 微电子部。1979 年毕业于美国纽约州伊萨卡康乃尔大学并获材料科学学士学位;1984 年获得剑桥大学麻省理工学院材料科学博士学位。1984年,Jeffrey Gambino 博士就职于IBM, 从事于双极和CMOS 器件的硅化物工艺研究。1992 年,他就职于纽约HopewellJunction 先进半导体研究中DRAM 发展协会。1999 年,他就职于Essex Junction, VT IBM 制造部,从事CMOS 逻辑技术的铜互连工艺研究。他先后发表技术论文100 多篇,获专利100 余项。
M.K. Radhakrishnan 博士, 印度
M.K. Radhakrishnan 博士30 多年来作为科学家,院士和技术顾问,在新加坡微电子研究所、半导体产业的领航公司、意法半导体和飞利浦担任高层领导。目前,他在自己创立的技术咨询公司NanoRel 担任首席技术顾问,该公司服务领域是向半导体制造商、晶圆厂、封装、组装和测试商提供技术咨询和培训。
季良俊,UL, 美国
季良俊现任美国UL 公司研究工程师。他在可再生能源领域中有20 多年的经验:主要侧重于标准的开发,测试和认证,以及故障分析。目前,他拥有以下技术会员资格:ANSI USTAG 会员;IEC TC 82 WG2 会员;IEC TC 82WG7 会员和项目主管;ASTM E44 副主席;IECEE CTLETF 9 主持人;IECEE 技术评估人;IEEE SCC 21 会员;PV GAP Advisory Board 会员;SAC TC 342会员等.他以往的工作经历还包括:亚利桑那州立大学实验室经理和高级工程师,光电测试实验室; 扬州大学讲师。
John H. Lau 教授, 香港科技大学, 香港
John H. Lau 教授自 2009 年1 月起,就是香港科技大学的访问教授。在此之前, 他曾担任2 年微电子研究所MMC 实验室主任。作为资深科学家就职于美国惠普和安捷伦公司逾2年。拥有30 多年的研发和制造经验,曾撰写或参与撰写300 多篇的技术出版物,100 多篇论文并应邀发表250 多篇会议演讲论文。Lau 教授还曾撰写和参与撰写16 本关于“先进的封装,焊点可靠性和无铅焊接和制造”的教科书。他获得了美国Illinois 大学的理论与应用力学博士学位;北美“结构工程”,“工程物理”和“管理科学”三个硕士学位。Lau 教授是ASME 会员,IEEE/CPMT 杰出讲师,1994 年起就是IEEE 会员。
Albert Chin 教授,美国
Albert Chin 教授于1989 年获得美国密歇根大学电气工程博士学位。1989-1990年AT&T-Bell 实验室;1990-1992年,在通用电气电子实验室从事研究工作;1996-1997 年,就职于德州仪器SPDC。2002 起,他是新加坡国立大学SNDL 的访问教授,2002 年至今,台湾国立交通大学教授。他是高电介常数栅极绝缘层和金属栅极研究开拓者;他开发的Al2O3 和La2O3 已经与HfSiON 一起使用来降低32 纳米P/N MOS 管的开启电压;高迁移率的GOI CMOS,低交流电源3D 集成电路和高增益共振腔光探测器;他是高阻层SONOS 存储器和CTEF 方面的领导者;他开创了纳米结晶高MIM 电容器的研究,并进行模拟/RF 和DRAM;通过使用H +参杂的深陷阱可以把基底变成半绝缘,在该领域做出了突出的贡献。他还发明了不对称的具有高RF 功率性能的LDD MOS。他参与撰写的9 篇论文被列为基本科学指标中被广泛引用的文章。他的 GOI, 闪存, MIM 和 RF器件被引用和列在国际半导体技术计划(参考系)。Albert Chin 教授在IEDM 和美国和、欧洲,亚洲的其他国际会议中应邀发表演讲,在第62 届器件研究研讨会e中,担任rump section panelist 成员;他还是IEDM2008的分会主席,IEDM2009的Asian Arrangements 联合主席。

本课程名称: IPFA2009IEEE国际半导体失效分析与可靠性培训邀请函大会7月6-10日

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